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MOSFET
车载充电器(OBC)氮化镓(GaN)驱动(高压高功率)设计(第四篇)
相较于传统的硅基
MOSFET
或IGBT等功率开关器件,GaNFET具有以下显著优势:高频性能优异:氮化镓材料拥有更高的电子迁移率和饱和漂移速度,因此GaNFET在高
初心不忘产学研
·
2024-02-05 13:45
自动化
自动驾驶
汽车
驱动开发
算法
硬件工程
智能硬件
场效应管学习笔记
场效应管主要有两种类型:结型场效应管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应管(
MOSFET
)。MOSFE
㉨㉨
·
2024-02-04 19:45
零基础学模拟电路
模电
Global SiC
MOSFET
Modules Market Size Is Projected to Grow from USD 1693 million in 2023
Accordingtothenewmarketresearchreport“GlobalSiCMOSFETModulesMarketReport2023-2029”,publishedbyGlobalInfoResearch,theglobalSiCMOSFETModulesmarketsizeisprojectedtogrowfromUSD1693millionin2023toUSD9218.2
市场分析
·
2024-02-04 17:03
数据库
3D打印、自动升降超静电机驱动方案TMC2209
集成功率
MOSFET
可处理高达2ARMS的电机电流,具有保护和诊断功能,以实现稳健可靠的运行。一个简
卓联微范同学
·
2024-02-03 04:26
单片机
嵌入式硬件
硬件工程
驱动开发
人工智能
算法
不会设计降压转换电路?手把手教你原理、公式、步骤及注意事项!
降压转换电路降压转换器用作电压调节器,同时利用BJT、
MOSFET
或IGBT等半导体部件的开关动作。Q1会不断开关,D1充当续流二极管,L1将充电和放电
BinaryStarXin
·
2024-02-02 23:42
硬件设计提升之路
网络
降压转换器设计
电感纹波电流
电感
RMS电流推导
传导损耗
开关损耗
电感功率损耗推导
小尺寸,设计紧凑 NVMFS5C430NWFAFT1G、NVMFS5C420NLT1G、NVMFS5C628NLWFAFT1G、NVMFS5C628NLT1G单 N 沟道,汽车用功率
MOSFET
这些功率
MOSFET
具有低RDS(on)值和低电容,可最大限度地降低导通和驱动器损耗。
Mandy_明佳达电子
·
2024-02-02 13:21
明佳达电子
综合资源
其他
经验分享
用于工厂自动化和机器人的 DRV8434EPWPR、DRV8434ARGER、DRV8452DDWR、DRV8452PWPR、DRV8462DDWR步进电机驱动器
DRV8434EPWPR具有集成电流检测功能的2.5A双极步进或双通道有刷电机驱动器电机类型-步进:双极性电机类型-AC,DC:有刷直流功能:驱动器-全集成,控制和功率级输出配置:半桥(4)接口:开/关技术:功率
MOSFET
Mandy_明佳达电子
·
2024-02-02 13:21
明佳达电子
驱动开发
机器人
综合资源
场效应和MOS管有什么区别呢?
1.场效应管(FET)分为MOS场效应管(
MOSFET
)和结型场效应管(JFET)。现在主要使用MOS场效应管,即通常所称的MOS管。
Sofie_6804
·
2024-02-01 19:42
mos 多路模拟电子开关_模拟多路开关-
MOSFET
全解.ppt
模拟多路开关-
MOSFET
全解1.漏电流漏电流:通过断开的模拟开关的电流,用IS表示。
Sky李晓峰
·
2024-01-31 00:41
mos
多路模拟电子开关
WS4665D-8/TR单通道负载开关WILLSEM封装DFN2x2-8L
该器件包含一个N沟道
MOSFET
可以在0.8V至0.8V的输入电压范围内工作5.5V并且可以支持最大连续电流6A。开关由开/关输入(ON)控制,它能够直接与低压接口控制信号。
szriley123
·
2024-01-31 00:11
WILLSEM
小尺寸、设计紧凑的NTMYS003N08LHTWG、NTMYS010N04CLTWG、NTMYS011N04CTWG(工业用)N沟道功率
MOSFET
1、NTMYS003N08HL功率
MOSFET
80V,132A,3.3mΩ单N通道NTMYS003N08LHTWGN沟道功率
MOSFET
专为紧凑高效的设计而打造,采用5mmx6mmLFPAK封装。
Summer-明佳达电子
·
2024-01-30 10:51
明佳达优势
综合资源
其他
经验分享
【分立器件】紧凑型、高能效设计的 NVMFD5C470NT1G、NVMFD6H846NLT1G、NVMFS6H864NLWFT1G、NVMFS6H864NLT1G 汽车用功率
MOSFET
器件选型:1、NVMFD5C470NT1G功率
MOSFET
40V,36A,11.4mΩ,双N沟道,逻辑电平技术:
MOSFET
(金属氧化物)配置:2N-通道(双)FET功能:-漏源电压(Vdss):40V25
Summer-明佳达电子
·
2024-01-30 10:21
明佳达优势
综合资源
汽车
经验分享
低导通电阻、汽车级STD20NF06LAG,STO47N60M6、STO33N60M6、STO36N60M6 600V MDmesh™ M6 功率
MOSFET
1、STD20NF06LAG汽车级N沟道60V、32mOhm典型值、24ASTripFETII功率MOSFETSTripFETVI™功率
MOSFET
是采用ST专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式
Summer-明佳达电子
·
2024-01-30 10:18
明佳达优势
汽车
综合资源
其他
电路笔记 :MOS场效应晶体管+红外遥控+AMS1117 电源模块
三极管(BJT,BipolarJunctionTransistor)和
MOSFET
(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)是两种不同类型的晶体管
FakeOccupational
·
2024-01-29 05:53
移动端
笔记
要想搞懂MOS管驱动电路,这些基础不可不看!
1MOS管种类和结构
MOSFET
管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成
砖一谈芯
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2024-01-28 04:38
硬件工程
信息与通信
物联网
社交电子
嵌入式硬件
超静音步进电机驱动芯片TMC5160介绍
外加
MOSFET
实现高达20A的电机线圈电流控制。带步进/方向接口和SPI。
卓联微范同学
·
2024-01-27 18:58
单片机
嵌入式硬件
人工智能
驱动开发
自动化
算法
2019-03-16
型号:TMC2208-LA-T电机类型-步进:双极性电机类型-AC,DC:-功能:驱动器-全集成,控制和功率级输出配置:半桥(4)接口:4-40、6-32、8-32公母六角铝制螺纹支座技术:功率
MOSFET
鲜花插在牛粪上
·
2024-01-26 13:12
自动驾驶SoC:自动驾驶竞赛的制高点
而功率器件集成度较低,属于分立器件,主要包括电动车逆变器和变换器中的IGBT、
MOSFET
等。传感器则包括智能车上的雷达、摄像头等
阿宝说车
·
2024-01-24 15:21
自动驾驶
人工智能
机器学习
常用电子器件学习——MOS管
MOS管介绍MOS,是
MOSFET
的缩写。
zhoutanooi
·
2024-01-24 11:17
学习
PMIC 基础知识浅析(四)
控制芯片与开关
MOSFET
分离型,
MOSFET
外置于PCB上,芯片仅提供智能控制功能。此类IC技术难度不大,前后端设计都非常成熟。
WPG大大通
·
2024-01-21 14:18
单片机
人工智能
stm32
大大通
嵌入式硬件
OR-343,IGBT驱动光耦,替代ACPL-W343,TLP5702等
OR-343具有
MOSFET
高输入阻抗和GTR低导通压降特性提供隔离反馈高隔离电压4.0A最大峰值输出电流3.0A最小峰值输出电流工业温度范围:–40°C至105°C宽工作VCC范围特征轨到轨输出电压。
Yyq13020869682
·
2024-01-19 19:21
深圳奥伦德
单片机
嵌入式硬件
双向DC/DC(boost/buck)工作原理
1、放电时:如下图所示,先通VD1和断开VD2,电感存储能量,再断开VD1,开始导通VD2(VD2也是
mosfet
,都是双向导通的,图中显示的是二极管是错的),电感电流不能突变,此时电感释放能量,完成回路
tiande_
·
2024-01-18 20:29
经验分享
笔记
实现零的突破--国内首款兼容6Pin光耦栅极驱动器SLM34x系列SLM341
SLM34x系列SLM341是单通道兼容光耦的隔离式栅极驱动器产品,适用于驱动IGBT、
MOSFET
。其峰值驱动电流3.0A以及有不同的UVLO电压。
Hailey深力科
·
2024-01-17 06:48
深力科光耦栅极驱动器
深力科SLM341
深力科SLM34x系列
深力科隔离驱动器
深力科门极驱动
深力科数明
推荐一款低成本半桥驱动器集成电路 SIC631CD-T1-GE3
内部功率
MOSFET
利用Vishay的最先进的第四代TrenchFET技术行业基准绩效将显著降低开关和传导损耗。
Hailey深力科
·
2024-01-17 06:45
SIC631CD-T1-GE3
深力科半桥驱动器
深力科Vishay
深力科集成功率级
SIC单晶衬底的常用检测技术
SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种,各自适用于不同的外延层和应用场景:1.导电型SiC衬底:通过同质外延生长和器件制造工艺,可用于制造SiC二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管(
MOSFET
)等功率器件
阿拉伯梳子
·
2024-01-14 15:08
半导体工艺
#
拉晶
制造
经验分享
SL3037B耐压60V降压恒压电源芯片 外围元器件少 电路简单
其工作原理是,通过内部的
MOSFET
开关管控制电感的充放电,从而实现电压的调节和输出。
QQ2355368872
·
2024-01-14 11:01
嵌入式硬件
IP3005A 超高精度内置
MOSFET
单节锂电池保护IC 英集芯
描述IP3005系列IC是一款超高精度的单节锂离子/锂聚合物电池保护芯片,它内置功率
MOSFET
,全集成了超高精度的过充电压、过放电压、过放电流、过充电流检测保护电路。
深圳市润泽芯电子有限公司
·
2024-01-12 07:27
英集芯
单节锂电池IC
PLECS如何下载第三方库并导入
MOSFET
的xml文件,xml库路径添加方法及相关问题
1.首先xml库的下载,PLECS提供了一个跳转的链接。https://www.plexim.com/download/thermal_models2.下载一个库(以最后一个Wolfspeed为例,属于CREE的SiCMOSFET)下载这个就行,都包含了。不信自己可以试试再下载其他两个PLECS的库里面有三个压缩文件,解压后会看到一堆的xml文件3.PLECS中xml库的导入首先将现在的库放在你想
那一缕时光
·
2024-01-11 09:19
xml
THB6128两相四线步进电机PWM驱动控制
该模块有以下优点:芯片使用双全桥
MOSFET
驱动,低导通电阻Ron=0.55Ω最高耐压36V,峰值电流2.2A,持续电流2A,电流设定通过拨码开关简单设定有1、2、4、8、16、32、64、128多种细分可选
优信电子
·
2024-01-10 23:23
电子电路
IRF540资料手册数据分析
IRF540是一种功率
MOSFET
(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,常用于高功率放大和开关应用。它具有较低的开关电阻和较高的电流承载能力。
捷配datasheet
·
2024-01-10 16:32
单片机
嵌入式硬件
2SK3019 中低压
MOSFET
60V 100mA 双N通道 SOT-723封装
2SK3019小电流双N通道
MOSFET
,电压60V电流100mA,采用SOT-723封装形式。适用于低RDS(on)的高密度电池设计,压控小信号开关,坚固可靠,ESD保护。
2301_79716471
·
2024-01-09 21:47
矽普
安全
小家电
IGBT基本工作原理及IGBT的作用是什么?
由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则
MOSFET
导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则M
IC道合顺
·
2024-01-09 19:30
电子类知识
硬件工程
单片机
嵌入式硬件
AOD414-VB场效应管一款N沟道TO252封装的晶体管
VBsemiAOD414-VBMOSFET参数:-封装:TO252-沟道类型:N—Channel-最大电压:30V-最大电流:100A-RDS(ON):2mΩ@VGS=10V,VGS=20V-阈值电压:1.9V应用简介:该
MOSFET
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:04
mosfet参数解析
单片机
嵌入式硬件
AOD414-VB
MOSFET
MOS管
IRF9520NPBF-VB一款P沟道TO220封装
MOSFET
应用分析
P—Channel沟道-额定电压:-100V-额定电流:-18A-RDS(ON):167mΩ@VGS=10V,20V-阈值电压:-1.6V-**应用简介:**-IRF9520NPBF-VB是一款P沟道场效应晶体管(
MOSFET
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:04
mosfet参数解析
IRF9520NPBF-VB
嵌入式硬件
MOS管
MOSFET
FDN360P-NL-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
P—Channel沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.6A-RDS(ON):47mΩ@VGS=10V,20V-阈值电压:-1V-**应用简介:**-FDN360P-NL-VB是一款P沟道场效应晶体管(
MOSFET
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:33
mosfet参数解析
FDN360P-NL-VB
嵌入式硬件
MOSFET
MOS管
FR1205-VB一种N沟道TO252封装MOS管
参数:N沟道,60V,45A,RDS(ON)24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252详细参数说明和应用简介:1.沟道类型:N沟道-这表示这是一种N沟道
MOSFET
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:33
mosfet参数解析
单片机
嵌入式硬件
FR1205-VB
MOS管
MOSFET
VD4056H 输入高耐压30V 带OVP反接功能 适用于TYPEC口的高浪涌电压
VD4056H采用了内部P-
MOSFET
架构,并含防倒充功能,所以无需外部检测电阻和隔离二极管。在温度过高后此芯片可对充电电流进行自动调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下限制自身和系统温度。
深圳恒森宇电子
·
2024-01-08 16:26
元器件
硬件设计
(03)光刻——半导体电路的绘制
01、绘制精细电路的第一步金属-氧化物半导体场效应晶体管(
MOSFET
)的革命,让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。
阿拉伯梳子
·
2024-01-05 16:53
半导体工艺
#
晶圆制造
经验分享
制造
(02)半导体前道制程工艺概览
01、半导体制程工艺概览在第一篇的最后,我们说到金属氧化物半导体场效应晶体管(
MOSFET
)的平面式结构让人们可以在晶圆上同时制造出好几个
MOSFET
。
阿拉伯梳子
·
2024-01-05 16:49
半导体工艺
#
晶圆制造
制造
经验分享
TTL与CMOS电平
CMOS技术后来出现,使用了互补对称的P型和N型
MOSFET
(金属氧化物半导体场效应晶体管),更适合于微型化和低功耗应用。电压标准常用的会有5V、3.3V、2.5V和1.8V。
弱冠少年
·
2024-01-05 10:00
嵌入式硬件
嵌入式硬件
保证
MOSFET
的栅极驱动类似一个电压源,具有尽可能小的阻抗。
MOSFET
的栅极驱动需要类似于电压源的特性,因为栅极驱动的主要作用是控制
MOSFET
的导通和截止。当栅极电压发生变化时,
MOSFET
的导通状态也会相应地改变。
手搓机械
·
2024-01-05 06:07
设计规范
嵌入式硬件
DC-DC内置MOS降压恒流IC——FP8013开关稳压器,便携式照明
高侧
MOSFET
的源电流波形为方波。为了防止较大的电压瞬变,必须使用一个具有最大RMS电流大小的低ESR输入电容器。
调光IC小雅
·
2024-01-04 23:06
LED驱动IC→降压芯片
单片机
stm32
嵌入式硬件
轨道电流检测IC——FP135:3个电阻器增益设置,适用蓄电池充电器、SPS(适配器)、高侧导轨电流检测器
它包括一个差分输入放大器和一个带有源输出的
MOSFET
。有三个外部电阻,轨道电流信号可以很容易地转换为IC输出引脚的放大电压信号。此外,还可以通过改变这三个外部电阻器的值来调整增益。二、FP135特
调光IC小雅
·
2024-01-04 23:06
嵌入式硬件
智能家居
人工智能
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用
1.介绍本文讲述了一种运用功率型
MOSFET
和IG
攻城狮Wayne
·
2024-01-04 13:54
嵌入式开发应用案例
芯片的设计与验证案例
开源项目
单片机
嵌入式硬件
SCT2330C——3.8V-28V输入,3A,低EMI,超低功耗同步降压DCDC转换器
描述:SCT2330C是3A同步buck变换器,输入电压范围高达28V,完全集成了80mΩ高压侧
MOSFET
和42mΩ低压侧
MOSFET
,提供高效降压DC-DC转换。
Yyq13020869682
·
2024-01-04 10:14
芯洲科技
嵌入式硬件
SCT52A40——120V,4A,高频高压侧和低压侧栅极驱动器,替代UCC27200/UCC27201/MIC4604YM等
•8-24V宽供电电压•驱动高侧和低侧N通道
MOSFET
•4A峰值输出源电流和汇电流•升压电源电压范围可达120V•集成阴极负载二极管•TTL兼容输入,-10V输入•45ns传输延迟•1000pF负载下
Yyq13020869682
·
2024-01-04 10:39
芯洲科技
嵌入式硬件
Multisim仿真实例(1-10)
电路图:输入输出结果:2、基于
MOSFET
的DC-AC全桥逆变电路该电路利用电压源线性控制Q1/Q3与Q2/Q4导通从而改变电流流过负载的方向,将直流信号逆变成交流信号。电路图:输入输出结果:3、SV
Runner.DUT
·
2024-01-04 05:09
电类仿真
单片机
嵌入式硬件
数字IC设计——数字电路基本元器件
现代数字集成电路基本由CMOS晶体管构成,而CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成,所谓“互补”,即利用互补型
MOSFET
,即pMOS和nMOS,二者成对出现构成互补电路
KGback
·
2024-01-03 23:03
#
数字IC设计
数字IC
SCT2600——65V输出0.6A非同步整流DCDC转换器,可替代LV2862/LMR16006Y
•宽输入范围:4.5V-60V•高达0.6A的连续输出电流•0.765V±2.5%反馈参考电压•集成500mΩ高压侧
MOSFET
•低静态电流为80uA•轻负载下的脉冲跳过模式(PSM)•最小接通时间80ns
Yyq13020869682
·
2024-01-03 21:04
芯洲科技
单片机
嵌入式硬件
SCT2601,可替代LMR16006X/MP2459/MP2456;4.5V-60V Vin,0.6A,高效降压DCDC转换器
•宽输入范围:4.5V-60V•高达0.6A的连续输出电流•0.765V±2.5%反馈参考电压•集成500mΩ高压侧
MOSFET
•低静态电流为80uA•轻负载下的脉冲跳过模式(PSM)•最小接通时间80ns
Yyq13020869682
·
2024-01-03 21:04
芯洲科技
嵌入式硬件
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