小尺寸，设计紧凑 NVMFS5C430NWFAFT1G、NVMFS5C420NLT1G、NVMFS5C628NLWFAFT1G、NVMFS5C628NLT1G单 N 沟道，汽车用功率MOSFET

这些功率MOSFET具有低RDS(on) 值和低电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗。MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能 典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。

器件规格

1、NVMFS5C430NWFAFT1G 单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，185A，1.7mΩ

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3300 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），106W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
基本产品编号：NVMFS5

2、NVMFS5C420NLT1G 单 N 沟道，功率 MOSFET，40 V, 1.0 mΩ, 272 A

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Ta），277A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1mOhm @ 50A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7020 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），146W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

3、NVMFS5C628NLWFAFT1G 单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 135µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3600 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），110W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

4、NVMFS5C628NLT1G 单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 135µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3600 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），110W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

小尺寸，设计紧凑 NVMFS5C430NWFAFT1G、NVMFS5C420NLT1G、NVMFS5C628NLWFAFT1G、NVMFS5C628NLT1G单 N 沟道，汽车用功率MOSFET —— 明佳达

特性

尺寸小 ，设计紧凑
低RDS(on)值，可最大限度地降低导通损耗
低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
具备可湿性侧翼选项
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

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