电力MOSFET常用的专用集成驱动电路

        性能良好的驱动电路是电力MOSFET能安全有效工作的关键。为此，许多国际半导体器件制造公司都在开发生产与本公司电力MOSFET配套的集成驱动电路，各自形成了自己的系列产品，为电力电子设备的开发带来了很大的方便。其中以美国国际整流器（IR）公司最为突出。自1990年以来，国际整流器公司依靠自身在高频MOS.器件及驱动电路方面雄厚的技术实力和精湛的生产工艺，已批量推出了IR21系列几十种电力MOSFET的驱动电路。值得一提的是，由于电力MOSFET所需要的驱动功率比电力GTR要小的多，其集成驱动电路几乎没有采用厚膜集成这一结构形式的，都是采用单片集成结构。并且许多集成电路可以驱动两个甚至6个MOSFET。下表列出了部分常见的电力MOSFET 集成驱动电路的主要性能、特点、参数等。

                                        部分常见的电力MOSFET 集成驱动电路

型号	主要性能和特点	主要参数
IR2110 （IR）	它是应用无闩锁CMOS技术制作的 MOSFET 和 IGBT专用集成驱动电路，内部为自举操作设计了悬浮电源，有较宽的输出门极驱动电压范围。双列直插式14引脚封装，可驱动逆变器中同桥臂的两个IGBT或MOSFET	母线最高工作电压：500V 最高工作频率：40kHz 输出门极驱动最大电流值：2A 推荐工作电源电压：10~20V
IR2130 （IR）	双列直插28引脚封装，内设过电流、过电压及欠电压保护，封锁及指示网络，可输出的最大正反向峰值驱动电流大，单电源工作，可直接驱动三相逆变桥的6个MOSFET，6个输出可分高端与低端单独使用	母线最高工作电压: 600V  最高工作频率: 几十-几百kHz 输出驱动电压: 悬浮电压±0.5V 工作电源最大电压: 20V