关于计算机体系结构之RAM

相关链接：http://www.oschina.net/translate/what-every-programmer-should-know-about-memory-part1?p=4#comments

为什么在同一台机器中有不同的RAM？或者说得更详细一点，为什么既有静态RAM

(SRAM {SRAM还可以表示「同步内存」。})，又有动态RAM(DRAM)。功能相同，

前者更快。那么，为什么不全部使用SRAM？答案是，代价。无论在生产还是在使用上，

SRAM都比DRAM要贵得多。生产和使用，这两个代价因子都很重要，后者则是越来越重要。

为了理解这一点，我们分别看一下SRAM和DRAM一个位的存储的实现过程。

2.1.1 静态RAM

图2.6 6-T静态RAM

图展示了6晶体管SRAM的一个单元。核心是4个晶体管M1-M4，它们组成两个交叉耦合的反相器。

它们有两个稳定的状态，分别代表0和1。只要保持Vdd有电，状态就是稳定的。

当需要访问单元的状态时，升起字访问线WL。BL和BL上就可以读取状态。如果需要覆盖状态，

先将BL和BL设置为期望的值，然后升起WL。由于外部的驱动强于内部的4个晶体管，所以旧状态会被覆盖。

维持状态需要恒定的电源。

升起WL后立即可以读取状态。信号与其它晶体管控制的信号一样，是直角的(快速在两个状态间变化)。

状态稳定，不需要刷新循环。

动态RAM 动态RAM比静态RAM要简单得多。图2.5展示了一种普通DRAM的结构。它只含有一个晶体管和一个电容器。 显然，这种复杂性上的巨大差异意味着功能上的迥异。 图2.5 1-T动态RAM 动态RAM的状态是保持在电容器C中。晶体管M用来控制访问。如果要读取状态，升起访问线AL， 这时，可能会有电流流到数据线DL上，也可能没有，取决于电容器是否有电。如果要写入状态，先设置DL， 然后升起AL一段时间，直到电容器充电或放电完毕。 动态RAM的设计有几个复杂的地方。由于读取状态时需要对电容器放电，所以这一过程不能无限重复， 不得不在某个点上对它重新充电。 更糟糕的是，为了容纳大量单元(现在一般在单个芯片上容纳10的9次方以上的RAM单元)，电容器的容量 必须很小(0.000000000000001法拉以下)。这样，完整充电后大约持有几万个电子。即使电容器的电阻很大(若干兆欧姆)，仍然只需很短的时间就会耗光电荷，称为「泄漏」。

这种泄露就是现在的大部分DRAM芯片每隔64ms就必须进行一次刷新的原因（动态）。在刷新期间， 对于该芯片的访问是不可能的，这甚至会造成半数任务的延宕。（访问速度比静态内存小） 这就意味着需要一些时间（时间长短取决于电容C和电阻R）来对电容进行冲放电。另一个负面作用是， 信号放大器的输出电流不能立即就作为信号载体使用。图2.6显示了冲放电的曲线，x轴表示的是单位时间下的R*C 与静态RAM可以即刻读取数据不同的是，当要读取动态RAM的时候，必须花一点时间来等待电容的冲放电完全。 这一点点的时间最终限制了DRAM的速度。 当然了，这种读取方式也是有好处的。最大的好处在于缩小了规模。一个动态RAM的尺寸是小于静态RAM的。 这种规模的减小不单单建立在动态RAM的简单结构之上，也是由于减少了静态RAM的各个单元独立的供电部分。 以上也同时导致了动态RAM模具的简单化。 综上所述，由于不可思议的成本差异，除了一些特殊的硬件（包括路由器什么的）之外，我们的硬件大多是使用DRAM的。