存储器简介(RAM/ROM/FLASH/NVRAM)

memory

• 内存
  • RAM（Random Access Memory）随机存储器。掉电后数据会消失
    • SRAM（（Static RAM）写入的数据不会消失，直到下次写入或掉电。常用于CPU的一级缓存、二级缓存。价格昂贵。
    • DRAM（Dynamic RAM）写入的数据不能长期保持，必须在一定时间内进行刷新才能保持。常用作内存。价格低于SRAM

      • SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器） clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。 SDRAM已经发展了4代：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。

        • DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM（双数据率同步动态随机存储器）的简称。
  • ROM（Read Only Memory）只读存储器

    • MASK ROM（掩模型只读存储器）  制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。

      PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）  这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。 

      EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器）  这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。 

      EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）  功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。

      Flash Memory（快闪存储器）  这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。

      • 包含ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。

        • Nor Flash：NOR 的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

          Nand Flash：NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，常用作 U 盘。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码

  • SAS（Serial Access ）串行访问存储器。如果存储器只能按某种顺序来存取，也就是说，存取时间与存储单元的物理位置有关，则这种存储器称为串行访问存储器。
    • SAM（顺序存取存储器）和顺序存取存储器是完全的串行访问存储器，如磁带，信息以顺序的方式从存储介质的始端开始写入（或读出）.
    • DAM（直接存取存储器）直接存取存储器是部分串行访问存储器，如磁盘存储器，它介于顺序存取和随机存取之间。
• 外存
• NvRAM：Non-Volatile RAM。断电后数据仍能保留的半导体存储器
• 如果通俗地解释非易失性存储器，那就是指断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器。
  之所以加如此的定义，是因为：
  1.与此对应的随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），断电之后信息就丢失了。其中，DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成），DDR SDRAM（有一个晶体管组成），DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据，使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ，和采用RSL技术的RDRAM，Direct RDRAM），
  2.NVRAM可以随机访问。因此有些解释中，说Flash是属于NVRAM，是不准确的。因为从严格意义上来说，Flash分有两种：nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的，而nand flash不是真正的随机访问，属于顺序访问（serial access）。
  

来源：http://blog.csdn.net/lxgwm2008/article/details/7988434

参考：http://baike.baidu.com/link?url=pLjkcvBxiQiifE8DdGgBlgE_vOomXmYPmsfou6ZMpWTevCevHWgKUhNFBVzI9KKnCZfT_nRZPWKD7rl-mDUSDa