调试U-Boot笔记（八）

    在 上一节的实验中，我们推断出写NorFlash失败的原因是在 flash_erase() 函数中执行擦除操作时执行了 L88 或 L92 处的 goto outahere; 直接跳到 L105去执行了。那么我们今天就来确定到底是哪里出的错。

    我们在 flash_erase() 函数中插入调试信息打印印：

   

    编译了执行一下看结果。

   

    原因很明显了，是芯片没有反应超时所致的失败。

    那为什么会超时呢？是时序不对还是驱动不对？对于这个问题，我只好去查询NorFlash芯片的手册与电路原理图。

 

   

    由上图可见，数据位16Bit，地址位23Bit=8MB，芯片选择脚CE连nGCS0。地址映射到0x00000000上，地址范围为0x000000-0x7FFFFF。

    我们在查看 u-boot/board/flash.c 文件NorFlash驱动中看到，对NorFlash的写与擦除时都对一个地址进行访问，MEM_FLASH_ADDR1与MEM_FLASH_ADDR2，如下：

   

    查得这两个宏的定义为：

   

    CFG_FLASH_BASE 在 include/configs/my2440.h 文件中定义为 0x00000000。

    那么上述两个宏的分别地址：

    #define MEM_FLASH_ADDR1        (*(volatile u16 *)0x00000AAA)
    #define MEM_FLASH_ADDR2        (*(volatile u16 *)0x00000554)

    查看原理图，得知NorFlash的芯片型号为：AM29LV160DB，此为对应的电子文档： Am29LV160DB.zip