SPI Flash替代料引发EMI超标

在电子设备的EMC设计过程中,常见的误区是:工程师们往往过度聚焦在高频开关器件、供电模块等“明显”的干扰源上,却忽视了诸如SPI Flash这类低功耗、低速器件在特定条件下也可能成为辐射发射(RE)超标的“隐形杀手”。

一、问题现象:128MHz频点RE超标

在对一款三星电子制造的显示器产品进行10米法RE测试时,测试结果显示128MHz频点辐射余量不足,未能满足6dB的企业管控标准。

排查初步信息:
更换输入源、测试设备、线缆后结果无变化。

拔除整机所有连接线缆,对测试无影响。

现场环境、线缆耦合路径被基本排除。

问题可重复出现,疑似电路板自身干扰源。

通过上述现象可初步判断,干扰源为机内电路本身发出,而非外部耦合或环境因素所致。

二、干扰定位:SPI Flash时钟4倍频谐波

使用频谱分析仪和近场探头对驱动电路板进行扫描,干扰集中在128MHz频点,刚好是SPI Flash 32MHz时钟的四倍频成分。

尝试措施如下:

修改SPI时钟滤波器件 → 无改善;

降低SPI时钟幅度 → 效果不显著;

降频至24MHz → 发射满足要求,但系统响应变慢,用户无法接

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