器件选择1

1、MCU选型

1. MCU：国产国外、主流、技术支持、性能、是否熟练、价格
2. 系列：功能（外设数量，外设功能，外设速率）、速率（通信和处理速度，晶振速度，）、功耗、价格
3. 选择具体型号：
4. ROM（静态存储空间，存储程序等），RAM（存储变量，图像数据，通信数据等）
5. 集成外设（外设种类，数量）
6. GPIO数量（需要流余量）
7. 封装
8. 采购周期和价格

2、整体框图设计

例如

3、电源功耗考虑

输入电压：	24V/5A	驱动dagongl直流、步进、无刷电机
内部电压：	12V/1A	驱动大功率Mos管、继电器、CAM摄像头
	5V/3A	驱动蜂鸣器，继电器，LDO输入电源
	3.8V/2A(瞬间）	4G
	3.3V/1A	NB-IOT，LoRa，蓝牙，WIFI等无线模块（多个设备一般可5V转3.3V多个供电，将电流分开驱动）
	3.3V/500mA	MCU，其他IC

 Mos管：

一般需要NMos管，基级驱动需要电压Vgs一般10V-20V，若使用12V驱动的Mos管，则Vgs一般需要达到12V，驱动电压接近12V，Mos管内阻越小。Mos管的驱动一般为Mos管寄生电容的充放电问题，一般充放电速度越快，电流越大，速度越慢，电流越低。    

4G：为了保证能正常工作，推荐3.8V，模块收发时电流能达到1A，产生压降。

4、最小系统在线设计

例如：电源部分、晶体部分、复位调试部分、RTC特殊管脚部分。

1晶振（例如STM32）

一般分为高速晶振（8MHz做为系统时钟）和低速晶振（332.768K 作为RTC实时时钟）。需要选择封装、奈温、晶振值大小、负载电容。负载电容关系到外部电容选择设计。

芯片负载电容（常用20pf） =(并联电容1*并联电容2)/ (并联电容1+并联电容2)+走线寄生电容（2-3pf）+芯片寄生电容（若有，例如手册7-8pf）。

电容串联计算公式 1/C = 1/C1 + 1/C2。

CL=(C1*C2)/(C1+C2)+CY
注释：CL为晶振电容
C1、C2为外接电容，
CY为咋散电容（按照3到5PF计算）

例如晶振电路图：25M晶振负载电容10pf

计算电容
CL=(C1*C2)/(C1+C2)+CY
这里C1=C2

10=(X*X)/2X+CY(CY范围3-5PF)
C1=C2=(10-14PF)

(10-4)*2=即可计算 = 12pf

晶振电路的电阻也有助于晶振起振，可询问晶振厂家。

也可在线束留0欧姆电阻，用于修改。