MOS管米勒效应的罪魁祸首--Cgd

谈到MOS管的米勒效应,肯定绕不开栅-漏极电容Cgd的影响。这里面涉及一个重要计算,今天和大家一起讨论下。

1、一道问题

照例,先抛出一个问题:在MOS管的等效电路中,栅-漏电容Cgd等效到输入回路中的容值是多少?推导过程是怎样的?

这道题的难点在于推导过程,这需要同学们理解,而不是死记硬背。

2、等效电路

为便于理解,我们以带有栅极偏置的共源极放大电路作为分析对象。如下图所示,首先画图其直流通路,比较简单,这里我们不做过多分析。

MOS管米勒效应的罪魁祸首--Cgd_第1张图片

接着,我们画出其交流通路。注意,这里我们使用的不是MOS管的低频小信号模型,而是高频小信号模型。

MOS管米勒效应的罪魁祸首--Cgd_第2张图片

因为在低频模式下,我们是通常是忽略结电容的影响。高频模式下,交流通路如下图所示。

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