硒化亚锡晶体 SnSe (Tin Selenide)、硒化铟晶体（InSe）、铟硒溴晶体（InSeBr）

中文名称：硒化亚锡晶体

英文名称：SnSe (Tin Selenide)

CAS号： 1315-06-6

性质分类：半导体

尺寸：~1cm

带隙：~0.9 eV-1.25 eV

合成方法：CVT

纯度：99.9%

保存条件：室温真空密封

应用：半导体电子器件，传感器-探测器，光学器件等研究

硒化亚锡（Tin Selenide，SnSe）是一种化合物，由亚锡（Sn）和硒（Se）元素组成。这种化合物具有一些性质，在热电领域引起了广泛的兴趣。

硒化亚锡是一种热电材料，表现出较高的热电性能，即在温度梯度下产生电压差。这使得其在热电转换器件中有潜在的应用价值，例如能量收集和热能转换器件。

此外，硒化亚锡也在光电子学和半导体器件中引起了一些关注。其电学和光学性质使得其在光电探测器和光伏器件等领域有一定的研究和应用潜力。

这种化合物的研究还在不断进行中，其在热电和能源转换方面的性能和应用潜力，因此在这些领域的研究仍然具有重要意义。

中文名称：硒化铟晶体

英文名称：InSe

晶体结构：γ-菱形半导体

尺寸：~1cm

带隙：~1.22 eV

纯度：99.9%

性质分类：半导体

合成方法：CVT

存储：4℃冷藏、密封、避光

应用：半导体电子器件，光学器件等研究

硒化铟（Indium Selenide，InSe）是一种由铟（In）和硒（Se）元素组成的化合物，具有层状结构。这种化合物在纳米科学、半导体和光电子学领域中备受关注，因为它具有一些电学和光学性质。

硒化铟是一种层状材料，类似于石墨烯，其具有二维结构。由于其电学性能和光学特性，硒化铟在光电子学中可能具有应用潜力，例如在光电探测器、光伏器件以及柔性电子学方面。

此外，硒化铟也在热电材料领域引起了一些关注，因为它在温度梯度下能够产生电压差，显示出一定的热电性能。

总的来说，硒化铟作为一种二维材料，在多个领域具有广泛的研究和应用前景，但具体的应用和性质仍在不断研究和探索中。

中文名称：铟硒溴晶体

英文名称：InSeBr(Indium Selenobromide)

性质分类：各向异性半导体

尺寸：~3-6mm

合成方法：CVT

纯度：99.9%

存储：4℃冷藏、密封、避光

应用：半导体电子器件，传感器-探测器，非线性光学，STM-AFM实验，光学器件等研究

铟硒溴（Indium Selenobromide，InSeBr）是一种由铟（In）、硒（Se）和溴（Br）元素组成的化合物。这种化合物在材料科学和半导体领域中可能具有一些性质和潜在的应用。

铟硒溴晶体可能在光电子学、半导体器件制备和光学器件等方面发挥作用。然而，具体的性质和应用潜力可能需要通过实验研究和特定性质测试来确定。

其在光电子学中可能被用于光电探测器或激光器件的制备，因其可能具有波长范围内的光学特性。但是，针对铟硒溴的应用和性质需要更深入的研究和实验验证。

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