分立半导体 CTS521二极管、AONS62922（N）场效应管、PJQ4401P（P）增强型MOSFET、AZ5A25-01F.R7G（ESD）瞬态电压抑制器件

1、CTS521 二极管 30 V 200mA 表面贴装型 SOD-882

CTS521小信号肖特基势垒二极管采用SOD-882封装、电压和额定电流，可满足各种设计要求。电压范围为30V，平均电流为200mA。该小信号肖特基势垒二极管具有高速开关和低漏电流特性。

技术：肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：30 V
电流 - 平均整流 (Io)：200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：500 mV @ 200 mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：30 µA @ 30 V
不同 Vr、F 时电容：25pF @ 0V，1MHz
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：SOD-882
供应商器件封装：CST2
工作温度 - 结：125°C（最大）
基本产品编号：CTS521

分立半导体 CTS521二极管、AONS62922（N）场效应管、PJQ4401P（P）增强型MOSFET、AZ5A25-01F.R7G（ESD）瞬态电压抑制器件 —— 明佳达

2、AONS62922 120V 85A N通道 中压MOSFET

特点
•沟槽式电源AlphasGTTM技术120V
•低RDS（开启）
•逻辑电平栅极驱动
•针对同步整流器进行优化
•符合RoHS和无卤素标准

典型应用
•用于反激式转换器的同步整流
•移动设备充电器
•USB-PD适配器

3、PJQ4401P 30V P沟道增强型MOSFET

FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：27 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3228 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2W（Ta），60W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DFN3333-8
封装/外壳：8-PowerVDFN
基本产品编号：PJQ4401

产品特性
RDS（ON），VGS@-10V，ID@-10A<8.5mΩ
RDS（ON），[email protected]，ID@-8A<14mΩ
高开关速度
提高了DV/DT能力
低栅极电荷
低反向传输电容
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
符合IEC 61249标准的绿色模塑料

4、AZ5A25-01F.R7G 用于ESD/瞬态保护的瞬态电压抑制器件

AZ5A25-01F是一种包括一个双向ESD额定箝位单元的设计，用于保护电子系统中的一条电源线、一条控制线或一条低速数据线。AZ5A25-01F专门设计用于保护连接到电源和控制线路的敏感元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）引起的过压损坏和闩锁。

应用
手机
手持便携式应用
计算机接口保护
微处理器保护
串行和并行端口保护
控制信号线保护
PCB上的电源线保护
闩锁保护

特性
ESD保护1条线路，双向
为受保护线路提供ESD保护，以
IEC 61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±13kV（接触）
IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
电缆放电事件（CDE）
0201小型DFN封装节省电路板空间
保护一条I/O线路或一条电源线路
快速开启和低箝位电压
低工作电压应用：5V
最大量
固态硅雪崩与有源电路
触发技术
绿色部分

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