HXDSP2441-DDR存储接口

概述

HXDSP2441芯片 DDR 存储接口支持兼容JEDEC JESD79-4 标准的 DDR4 存储器，有 2 个独立的DDR 存储接口，2 个接口功能完全一致。

主要特征

单个 DDR 存储接口的主要特征如下：

• 完全流水化命令、读数据、写数据处理；
• 针对高带宽目标的先进的 bank 预判断处理；
• 控制器复位时完全初始化存储器；
• 支持内置的 DDR Training 功能，包括 Write Leveling、Read Gate Leveling、Read Data Eye Leveling 等；
• 可对外部DRAM 存储器进行 BIST 测试；
• 可选外部存储器数据路径位宽，支持全数据宽度(64bit) 或半数据宽度(32bit)；
• 支持可选的ECC 功能，ECC 数据宽度 8bit；
• 最高支持DDR4-3200 数据率；
• 支持最大 64Gbyte 的地址空间；
• 支持2 个物理 RANK；

DDR初始化

初始化给DDR_WRAP供应时钟的PLL2

对DDR_WRAP内的CTL、PHY的除
CTL_00外的所有寄存器进行配置

配置CTL_00 ([0]：START寄存
器），启动初始化进程oll

查询中断状态寄存器CTL_205[25]
或等待中断

DDR颗粒可以正常访问

BIST（Built-In Self-Test）测试

DDR 初始化完成后，可以运行 BIST 程序，来检测整个 ddr 存储系统的正确性。BIST 程序会通
过控制器内置的激励，遍历整个 ddr memory 空间，来检测 ddr 存储系统的正确性。
BIST 分为ADDR BIST 和 DATA BIST 两类，前者主要用来检查地址译码相关的错误，后者主要
用来检查存储器数据访问的错误。
BIST 配置过程如下：

1. 准备
   设置 in_order_accept 寄存器为 1，以使命令顺序执行；
   对应寄存器为： CTL_190[0]：IN_ORDER_ACCEPT；
2. 设置Memory Bist Start Address 寄存器，确定 BIST 测试的 memory 起始空间；
   一般设置为 0；
   对应寄存器为：
   CTL_124[31:0]：LSB of Memory BIST START ADDR；
   CTL_125[ 7:0]：MSB of Memory BIST START ADDR；
3. 设置Memory Bist Address Space 寄存器，确定 BIST 测试的 memory 地址空间范围；
   一般设置为外挂DDR Memory 的容量；
   对应寄存器为：
   CTL_122[13:8]：Memory BIST Address Space 为 2CTL_122[13:8] Byte；
4. 设置Memory Bist Type 寄存器，确定 BIST 的类型：ADDR_BIST or DATA_BIST；
   每次BIST 测试只能选择其中一种类型；
   一般而言，ADDR BIST 更容易 PASS，BIST 的速度也比较快；
   对应寄存器为：
   CTL_122[24]：BIST ADDR CHECK Type，1 表示有效；
   CTL_122[16]：BIST DATA CHECK Type，1 表示有效；
5. 启动BIST
   对应寄存器为：
   CTL_121[24]：BIST GO，1 表示有效；
6. 等待BIST 结束
   通过查询中断寄存器或等待中断来判断 BIST 完成；
   等到 BIST 结束后要把结束状态清除；
   对应寄存器为：
   CTL_204[16]：BIST INT STATUS，1 表示有效；
   CTL_212[16]：BIST INT ACK/CLEAR，写 1 则清除BIST INT STATUS；
7. 查看BIST 结果
   对应寄存器为：
   CTL_122[0]：DATA BIST RESULT，1 表示 BIST PASS，0 表示FAIL；
   CTL_122[1]：ADDR BIST RESULT，1 表示 BIST PASS，0 表示FAIL；
8. 离开BIST 状态，使 Memory 可以正常访问
   设置 in_order_accept 寄存器为 0，以使命令可以非顺序执行；
   设置 BIST_GO 寄存器为 0，以使 Memory 回归正常访问状态；
   对应寄存器为：
   CTL_190[0]：IN_ORDER_ACCEPT；
   CTL_121[24]：BIST GO；

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mt40a512M dual rank 初始化程序

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