新型存储器与传统存储器介质特性对比

目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。

上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NAND Flash，还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。

在非易失性MRAM存储器方面，Everspin MRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1Gb STT-MRAM产品。ReRAM存储器仍然尚未商用，初创公司如Crossbar则正致力于其产业化的进程。

当前的新型存储器尚不具备替代DRAM芯片或Nand闪存的能力，市场主要集中于低延迟存储与持久内存。分别比较3种存储的介质特性如下表所示。

表 新型存储及传统存储特性对比

MRAM具有最好的读写速率和使用寿命，从理论上有机会替代现在的内存芯片和外存，但是由于涉及量子隧穿效应，大规模制造难以保证均一性，存储容量和良率爬坡缓慢。在工艺取得进一步突破之前，宇芯提供的Everspin MRAM芯片的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域。