在此介绍的是使用FPGA实现SD NAND FLASH的读写操作,以雷龙发展提供的CS创世SD NAND FLASH样品为例,分别讲解电路连接、读写时序与仿真和实验结果。
使用FPGA讲解SD NAND FLASH的文章网上也有很多比较详实的内容,本文的部分思路也是参考了其他博主的博客思路。
简介
Flash是近些年应用最广、速度最快的只读存储器,原理是从 EEPROM 基础上改进发展来的,特点是擦除和编程速度快,因此得名为闪速(或闪烁)存储器,简称闪存。
NOR Flash 和 NAND Flash 是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR Flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了 NAND Flash 结构,后者的单元电路尺寸几乎只是 NOR 器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR Flash 的特点是以字节为单位随机存取。这样,应用程序可以直接在 Flash中执行,不必再把程序代码预先读到 RAM 中。NOR Flash的接口一般以SPI为主,与通常的扩展存储器一样,可以直接连接到处理器的外围总线上。
NAND Flash应该是目前最热门的存储芯片了。因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。比如你买手机,肯定会考虑64GB,还是256GB?买笔记本是买256GB,还是512GB容量的硬盘呢?(目前电脑大部分采用了基于 NAND Flash 产品的固态硬盘)。
NAND Flash 主要分为SLC,MLC,TLC,3D TLC ,3DQLC等,随时科技的发展和大众的需求,单位面积内的存储容量越来越大。SLC是指单个存储单元中,能容纳1bit 代表2种状态,0或者1. MLC 则是指单个存储单元中,能容纳2bit,代表4种状态 ,00,01,10,11。 TLC 则是指单个存储单元中,能容纳3bit,代表8种状态,000,001,010,011,100,101,110,111。最开始整个存储单元是2D展开的,也就是平面的,随着需要在单位空间内容纳更多的信息,就开始类似盖楼房一样,在3D也就是立体的方面来发展了。
如果在产品中选择nor flash 还是NAND FLASH,更多的时候是从容量角度来考量,如果存储的内容大于128Mbit 就选择NAND Flash ,小于128Mbit就选择 Nor flash。Nor flash受限于自己的工艺,大于128Mbit的容量,价格就会比128MB SLC NANDFLASH的价格还要贵。
未来发展
当前,NAND flash正在从 2D 发展到 3D。对于 2D NAND flash,如果在同一区域实现更多的单元数量,形成更小的工作区和栅级,便能增大存储容量。直至 2010 年初,2D NAND flash中的扩展一直是这项技术的主要焦点所在;然而,由于内部结构的限制,且储存数据会随时间推移而丢失导致使用寿命缩短,2D的技术已无法再实现扩展。
因此,3D NAND flash逐渐取而代之,成为业界关注焦点,现在所有 NAND 制造商都在开发和制造 3D NAND flash产品。
在 3D NAND flash 的结构中,存储容量会随着三维叠层中堆叠层数的增加而变大,类似盖楼房,一层一层叠加上去。3D NAND flash 使用了堆叠多层氮氧化物的方法,形成一个被称为“塞子”的垂直深孔,在其中形成一个由氧化物-氮化物-氧化物制成的存储设备。通过这种方法,仅需少量工艺即可同时形成大量单元。在 3D NAND flash 中,电流通过位于圆柱单元中心的多晶硅通道,便能根据存储在氮化硅中的电荷类型实现存储编程和擦除信息。虽然2D NAND flash 技术发展的目标是实现形成较小的单元, 3D NAND flash 的核心技术却是实现更多层数的三维堆叠。
由于NAND FLASH在大容量应用中的便利性,因此作为今天介绍的主角~
什么是SD NAND呢(以下省略FLASH)?下面的内容是从雷龙发展官网的介绍中得到:
SD NAND俗称贴片式TF卡,尽管与TF卡名称类似,但是有较大的区别:
相比常见的TF卡,SD NAND是专门为内置存储进行设计,焊接在PCB板上以供工业级产品的应用。因此对品质稳定性、一致性、以及尺寸都有较高的要求。
本文所使用的CS创世SD NAND是从深圳雷龙发展申请获得,可以在官网中最上面找到申请样品的入口:
雷龙发展有限公司创立于2008年,专注NAND Flash领域13年。创始人均为步步高/华为技术背景出身。如果有技术问题也可以和其公司人员进行沟通,相关的工作人员非常专业和热心。
本文所使用的产品是CSNP4GCR01-AMW,是雷龙的第二代产品,产品如下图所示:
数据手册可以在立创商城进行下载,其封装与连接的电路原理参考图如下图所示:
芯片共包含8个引脚,包括4根数据线(6、7、1、2);2根电源线(4、8);1根时钟线(3);1根命令控制线(5)
手册中提供了SD NAND的两种使用模式,分别为SD MODE 以及 SPI MODE。他们所对应的引脚定义,如下图所示:
对于两种模式的切换,官方给出了初始化的方式。下文在代码的时序部分也会涉及到相关内容。
在对SD卡数据读写速度要求不高的情况下,选用SPI通信模式可以说是一种最佳方案。因为在该模式下,同只需要通过四根线就是可以完成所有的数据交换,可以为我们节省出宝贵的FPGA I/O资源。下图给出了SPI一对一通信时,主设备与从设备之间的连接关系。
因此本文主要介绍SPI MODE下各个引脚的功能:
确定了通讯模式后,也就便于我们后文中,利用这种通讯模式按照SD卡的读写时序进行读写操作。
单独的SD NAND不便于我们使用FPGA进行读写测试,好在官方提供了测试板,如下图所示:
有了它就可以轻松实现SD NAND与我们常见的FPGA开发板上的Micro SD插槽进行连接与测试了。
适用产品:LGA8,6x8mm 封装的SD NAND产品。
测试板尺寸:长度6.22厘米,宽度2.49厘米,接口长度2.53厘米。
使用方法:将芯片焊接至测试板上,可在原有的Micro SD卡座上直接调试和测试。
准备工具:热风枪,烙铁,锡膏,镊子。
焊接方式: 先用烙铁将芯片的8个PIN脚上锡,中间的一个PIN脚不需要上锡保持NC即可。再将接板板上,对应芯片的8个PIN上锡。
最后用镊子将芯片放到PCB上,热风枪温度调至350℃ 在芯片表面均匀加热即可焊接。
其它事项:测试板上其它元器件无需理会,直接将芯片焊接在测试板上即可当SD卡一样调试。
焊接好后,可以将转接板插入到读卡器,再将读卡器连接到电脑上看看是否能正确识别到容量,通过这个方式来判断芯片是否已经焊接正常。
本文所使用的是黑金的AX301开发板,上面装有一个 Micro SD 卡座, FPGA 通过 SPI 数据总线访问 Micro SD 卡,SD 卡座和 FPGA 的硬件电路连接如下:
借由硬件电路的连接,FPGA可以直接与我们的SD NAND进行通信了。
至此,我们已经实现了SD NANDSPI通信方式方案的确定以及基于此的硬件电路连接,下一步就是根据SD卡的读写时序讲通信方式初始化为SPI模式,并按照SD卡协议进行读写操作。
以下内容来自黑金的实验手册:
SD 卡的协议是一种简单的命令/响应的协议。全部命令由主机发起, SD 卡接收到命令后并返
回响应数据。根据命令的不同,返回的数据内容和长度也不同。 SD 卡命令是一个 6 字节组成的命
令包,其中第一个字节为命令号, 命令号高位 bit7 和 bit6 为固定的“01“,其它 6 个 bit 为具体
的命令号。第 2 个字节到第 5 个字节为命令参数。第 6 个字节为 7 个 bit 的 CRC 校验加 1 个 bit 的结束位。 如果在 SPI 模式的时候, CRC 校验位为可选。 如下图所示, Command 表示命令,通常使用十进制表示名称,例如 CMD17,这个时候 Command 就是十进制的 17。
对于详细的SD卡协议内容,可以参考传送门中的相关内容,给出了比较具体的解释。
SD 卡对每个命令会返回一个响应,每个命令有一定的响应格式。响应的格式跟给它的命令号
有关。在 SPI 模式中,有三种响应格式: R1, R2, R3。
在进行SD NAND的SPI模式读写操作时,主要使用到了以下几种SD卡命令,下面的表格进行简单介绍,这里可以找到完整版:
上电后延时至少 74clock,等待 SD 卡内部操作完成
片选 CS 低电平选中 SD 卡
发送 CMD0,需要返回 0x01,进入 Idle 状态
为了区别 SD 卡是 2.0 还是 1.0,或是 MMC 卡,这里根据协议向上兼容的,首先发送只有SD2.0 才有的命令 CMD8,如果 CMD8 返回无错误,则初步判断为 2.0 卡,进一步循环发送命令 CMD55+ACMD41,直到返回 0x00,确定 SD2.0 卡
如果 CMD8 返回错误则判断为 1.0 卡还是 MMC 卡,循环发送 CMD55+ACMD41,返回无错误,则为 SD1.0 卡,到此 SD1.0 卡初始成功,如果在一定的循环次数下,返回为错误,则进一步发送 CMD1 进行初始化,如果返回无错误,则确定为 MMC 卡,如果在一定的次数下,返回为错误,则不能识别该卡,初始化结束。 (通过 CMD16 可以改变 SD 卡一次性读写的长度)
CS 拉高
发送 CMD17(单块)或 CMD18(多块)读命令,返回 0X00
接收数据开始令牌 fe(或 fc) +正式数据 512Bytes + CRC 校验 2Bytes(默认正式传输的数据长度是 512Bytes)
发送 CMD24(单块)或 CMD25(多块)写命令,返回 0X00
发送数据开始令牌 fe(或 fc) +正式数据 512Bytes + CRC 校验 2Bytes
本代码所实现的功能,是基于黑金AX301B,实现对SD NAND FLASH的数据写入与读取,并显示在开发板的数码管上。当按下开发板上的按键时,会自动将数据加一操作,并进行同步显示。
前文介绍的是SD NAND的协议以及初始化、读写操作的流程,下面介绍代码的组成部分,整个工程主要由以下部分模块构成:
sd_card_test(top模块)
ax_debounce:ax_debounce_m0(按键消抖模块)
sd_card_top:sd_card_top_m0(SD卡top模块)
sd_card_cmd:sd_card_cmd_m0(SD卡指令)
sd_card_sec_read_write:sd_card_sec_read_write_m0(SD卡读写)
spi_master:spi_master_m0(SPI一个字节读写)
seg_decoder:seg_decoder_m0(数码管控制)
seg_decoder:seg_decoder_m1(数码管控制)
seg_scan:seg_scan_m0(数码管控制)
下面主要介绍上述四个加粗的模块以及其功能
本模块是SD card的top模块,用来实现不同子模块之间的连接。
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// Author: meisq //
// msq@qq.com //
// ALINX(shanghai) Technology Co.,Ltd //
// heijin //
// WEB: http://www.alinx.cn/ //
// BBS: http://www.heijin.org/ //
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// Copyright (c) 2017,ALINX(shanghai) Technology Co.,Ltd //
// All rights reserved //
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// This source file may be used and distributed without restriction provided //
// that this copyright statement is not removed from the file and that any //
// derivative work contains the original copyright notice and the associated //
// disclaimer. //
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// Revision History:
// Date By Revision Change Description
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// 2017/6/21 meisq 1.0 Original
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module sd_card_top
#(
parameter SPI_LOW_SPEED_DIV = 248, // SD card low speed mode frequency division parameter,spi clk speed = clk speed /((SPI_LOW_SPEED_DIV + 2) * 2 )
parameter SPI_HIGH_SPEED_DIV = 0 // SD card high speed mode frequency division parameter,spi clk speed = clk speed /((SPI_HIGH_SPEED_DIV + 2) * 2 )
)
(
input clk,
input rst,
output SD_nCS, //SD card chip select (SPI mode)
output SD_DCLK, //SD card clock
output SD_MOSI, //SD card controller data output
input SD_MISO, //SD card controller data input
output sd_init_done, //SD card initialization is complete
input sd_sec_read, //SD card sector read
input[31:0] sd_sec_read_addr, //SD card sector read address
output[7:0] sd_sec_read_data, //SD card sector read data
output sd_sec_read_data_valid, //SD card sector read data valid
output sd_sec_read_end, //SD card sector read end
input sd_sec_write, //SD card sector write
input[31:0] sd_sec_write_addr, //SD card sector write address
input[7:0] sd_sec_write_data, //SD card sector write data
output sd_sec_write_data_req, //SD card sector write data next clock is valid
output sd_sec_write_end //SD card sector write end
);
wire[15:0] spi_clk_div; //SPI module clock division parameter
wire cmd_req; //SD card command request
wire cmd_req_ack; //SD card command request response
wire cmd_req_error; //SD card command request error
wire[47:0] cmd; //SD card command
wire[7:0] cmd_r1; //SD card expect response
wire[15:0] cmd_data_len; //SD card command read data length
wire block_read_req; //SD card sector data read request
wire block_read_valid; //SD card sector data read data valid
wire[7:0] block_read_data; //SD card sector data read data
wire block_read_req_ack; //SD card sector data read response
wire block_write_req; //SD card sector data write request
wire[7:0] block_write_data; //SD card sector data write data next clock is valid
wire block_write_data_rd; //SD card sector data write data
wire block_write_req_ack; //SD card sector data write response
wire nCS_ctrl; //SPI module chip select control
wire spi_wr_req; //SPI module data sending request
wire spi_wr_ack; //SPI module data request response
wire[7:0] spi_data_in; //SPI module send data
wire[7:0] spi_data_out; //SPI module data returned
wire[15:0] clk_div;
sd_card_sec_read_write
#(
.SPI_LOW_SPEED_DIV(SPI_LOW_SPEED_DIV),
.SPI_HIGH_SPEED_DIV(SPI_HIGH_SPEED_DIV)
)
sd_card_sec_read_write_m0(
.clk (clk ),
.rst (rst ),
.sd_init_done (sd_init_done ),
.sd_sec_read (sd_sec_read ),
.sd_sec_read_addr (sd_sec_read_addr ),
.sd_sec_read_data (sd_sec_read_data ),
.sd_sec_read_data_valid (sd_sec_read_data_valid ),
.sd_sec_read_end (sd_sec_read_end ),
.sd_sec_write (sd_sec_write ),
.sd_sec_write_addr (sd_sec_write_addr ),
.sd_sec_write_data (sd_sec_write_data ),
.sd_sec_write_data_req (sd_sec_write_data_req ),
.sd_sec_write_end (sd_sec_write_end ),
.spi_clk_div (spi_clk_div ),
.cmd_req (cmd_req ),
.cmd_req_ack (cmd_req_ack ),
.cmd_req_error (cmd_req_error ),
.cmd (cmd ),
.cmd_r1 (cmd_r1 ),
.cmd_data_len (cmd_data_len ),
.block_read_req (block_read_req ),
.block_read_valid (block_read_valid ),
.block_read_data (block_read_data ),
.block_read_req_ack (block_read_req_ack ),
.block_write_req (block_write_req ),
.block_write_data (block_write_data ),
.block_write_data_rd (block_write_data_rd ),
.block_write_req_ack (block_write_req_ack )
);
sd_card_cmd sd_card_cmd_m0(
.sys_clk (clk ),
.rst (rst ),
.spi_clk_div (spi_clk_div ),
.cmd_req (cmd_req ),
.cmd_req_ack (cmd_req_ack ),
.cmd_req_error (cmd_req_error ),
.cmd (cmd ),
.cmd_r1 (cmd_r1 ),
.cmd_data_len (cmd_data_len ),
.block_read_req (block_read_req ),
.block_read_req_ack (block_read_req_ack ),
.block_read_data (block_read_data ),
.block_read_valid (block_read_valid ),
.block_write_req (block_write_req ),
.block_write_data (block_write_data ),
.block_write_data_rd (block_write_data_rd ),
.block_write_req_ack (block_write_req_ack ),
.nCS_ctrl (nCS_ctrl ),
.clk_div (clk_div ),
.spi_wr_req (spi_wr_req ),
.spi_wr_ack (spi_wr_ack ),
.spi_data_in (spi_data_in ),
.spi_data_out (spi_data_out )
);
spi_master spi_master_m0(
.sys_clk (clk ),
.rst (rst ),
.nCS (SD_nCS ),
.DCLK (SD_DCLK ),
.MOSI (SD_MOSI ),
.MISO (SD_MISO ),
.clk_div (clk_div ),
.CPOL (1'b1 ),
.CPHA (1'b1 ),
.nCS_ctrl (nCS_ctrl ),
.wr_req (spi_wr_req ),
.wr_ack (spi_wr_ack ),
.data_in (spi_data_in ),
.data_out (spi_data_out )
);
endmodule
sd_card_cmd 模块主要实验 sd 卡基本命令操作,还有上电初始化的 88 个周期的时钟,数据
块的读写,状态机如下:
代码如下:
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// Author: meisq //
// msq@qq.com //
// ALINX(shanghai) Technology Co.,Ltd //
// heijin //
// WEB: http://www.alinx.cn/ //
// BBS: http://www.heijin.org/ //
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// Copyright (c) 2017,ALINX(shanghai) Technology Co.,Ltd //
// All rights reserved //
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// This source file may be used and distributed without restriction provided //
// that this copyright statement is not removed from the file and that any //
// derivative work contains the original copyright notice and the associated //
// disclaimer. //
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