KGF75N65KDF KEC 650V/75A超结MOSFET 高频高效电源转换IC标杆！

KGF75N65KDF-U/H（KEC）产品解析

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一、产品定位

KGF75N65KDF-U/H是韩国电子（KEC）推出的650V/75A超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用TO-247封装，专为高频高效电源转换设计，具有低导通损耗、高开关速度特性，适用于工业电源、新能源及电动汽车等高功率场景。

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二、核心功能与参数

特性	参数/性能
电压/电流	650V耐压 / 75A连续电流（@25°C），脉冲电流可达225A
导通电阻	45mΩ（典型值），行业领先的低导通损耗
开关性能	低栅极电荷（Qg = 110nC），支持100kHz+高频开关
体二极管	快速恢复（Qrr = 4.5μC），减少反向恢复损耗
封装散热	TO-247（铜引脚+高导热封装），热阻低至0.35°C/W
工作温度	-55°C ~ +150°C（工业级可靠性）

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三、典型应用场景

✅ 工业电源

• 服务器/通信电源（PFC+LLC拓扑）

• 电焊机/等离子切割机高频逆变
  ✅ 新能源

• 光伏逆变器DC-AC模块

• 储能系统双向DC-DC转换
  ✅ 电动汽车

• 车载充电机（OBC）功率级

• 电机驱动逆变器

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四、竞品对比与优势

型号	KGF75N65KDF（KEC）	IPW65R080CFD（Infineon）	FCP190N65（ON Semi）	STW75N65M5（ST）
RDS(on)	45mΩ	80mΩ	55mΩ	45mΩ
Qg	110nC	120nC	130nC	115nC
Qrr	4.5μC	5.2μC	6.0μC	5.8μC
封装工艺	铜引脚+高导热	标准TO-247	标准TO-247	标准TO-247
单价（1K）	¥18~22	¥25~30	¥20~25	¥22~28

核心优势：
✔ 45mΩ超低内阻：比Infineon竞品低44%，导通损耗减少30%
✔ 高频优化：110nC栅极电荷，适配100kHz+开关频率
✔ 散热黑科技：铜引脚设计，热阻比竞品低15%

五、三大技术制高点：

1. 能效碾压：45mΩ导通电阻，LLC拓扑效率突破98%

2. 高频王者：110nC栅极电荷，开关损耗比竞品低20%

3. 散热革命：铜引脚导热设计，相同工况下结温降低10°C

目标客户：

• 电源模块厂商（服务器/光伏逆变器设计团队）

• 新能源车企（OBC/电驱系统工程师）

• 工业设备商（焊机/切割机功率升级）

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六、典型应用方案

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[3kW光伏逆变器方案]  
PV输入 → KGF75N65KDF全桥 → 高频变压器 → 并网输出  
* 实测效率98.5%（@30kHz），温升比竞品低12°C  

"在储能变流器中，KGF75N65KDF的铜引脚设计让散热器体积减少30%，通过UL认证。"
 

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七、总结

KGF75N65KDF-U/H凭借低阻高频+散热优化双引擎，成为以下场景首选：
1）对效率苛刻的能源转换系统
2）高功率密度电源设计
3）替代英飞凌/ST的性价比方案