MCU-内部flash模拟成EepRom（重新梳理）

STM32H743的Flash写入和擦除需满足以下条件：

写入粒度：必须按双字（64位，8字节）​对齐写入。

写入方式：只能将位从1改写为0，不能反向操作。

逻辑数据项的设计：每次写入的最小逻辑单位是一个完整的数据项，其结构 数据（data） + 数据虚拟地址（addr）= 8 byte。

​擦除单位：必须以Sector为单位擦除（STM32H743的Sector大小通常为128KB）。​

擦除结果：擦除后Sector内所有位变为1（即全0xFF）。​

擦除必要性：在写入新数据前，目标地址必须为0xFF，否则无法正确写入。