XCKU15P‑2FFVE1517I 赛灵思XilinxFPGA Kintex®UltraScale+

XCKU15P‑2FFVE1517I 属于 AMD Kintex® UltraScale+™ 系列，基于 FinFET 节点打造，拥有 1 143 K 系统逻辑单元、1 968 DSP48E 切片、70.6 Mb 片上存储、44 × 16.3 Gb/s GTH + 32 × 32.75 Gb/s GTY 高速收发器，以及 668 可编程 I/O，封装为 1517‑ball FCBGA，核心电压 0.825–0.876 V、工作温度 –40 °C ～ 100 °C，充分兼顾了性能、功耗与成本。

制造工艺：TSMC 16 nm FinFET+，实现业界领先的性能/功耗比

系统逻辑单元：1 143 450 LE（宏单元），相当于 ≈ 65 340 CLB 切片

LUT & Flip‑Flop：523 K 6‑输入 LUT + 1 045 K

Block RAM：34.6 Mb（8 784 × 36 Kb 块）

UltraRAM：最高 36 Mb 深度缓冲，用于大容量数据缓存

DSP 性能：Enhanced DSP slice 每片可达 891 MHz，整机最高可实现 6.3 TeraMAC 级算力

GTH 系列：支持多速率 (1 Gb/s – 16.3 Gb/s) SerDes，用于 PCIe Gen3/Gen4、10/25/50/100G Ethernet、SDI 等。

GTY 系列：支持高达 32.75 Gb/s PAM4 信号，满足 400G/800G 数据中心互连。

架构优势：50% 更大串行带宽，支持 16 G 与 28 G 背板以及 32.75 G 芯片到光纤接口

• 用户 I/O：高达 512 路可编程 I/O，支持 1.2 – 3.3 V 差分/单端标准（LVDS、HSTL、SSTL 等）。

• I/O 银行：多电压域独立配置，支持 DDR4/LPDDR4、QSPI Flash、SD/eMMC、CAN FD、UART、SPI、I²C 等多种外设接口。

• 核心电压 (VCCINT)：0.825 – 0.876 V，典型 0.850 V；

• I/O 电压 (VCCO)：1.14 – 3.3 V 可选；

• 工作温度：–40 °C ～ 100 °C (TJ)，工业级可靠性；

• 功耗优化：多模式电源及静/动态时钟门控，大幅降低空载与低负载功耗。