带隙基准电路设计仿真/自己备忘

带隙基准电路设计仿真/自己备忘_第1张图片

电路结构如图所示,放大器采用二级米勒补偿运算放大器https://blog.csdn.net/Czy1377004611/article/details/118551567?spm=1001.2014.3001.5501

所用工艺为1830工艺

基本原理是PTAT电流产生电路的PTAT电流在电阻R2上的压降与三极管Q3的BE结电压叠加形成VREF。

1.确定工作电流和R1

带隙基准电路设计仿真/自己备忘_第2张图片

搭建如图仿真电路图,设置idc=i,ADE窗口选择Variables-copy from cellview,如图仿真。

带隙基准电路设计仿真/自己备忘_第3张图片

结果如图所示,选择工作电压20uA,可得▲VBE=813.609-756.953mV。

R1=▲VBE/20uA=2.83kΩ。

2.计算温度参数与R2

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