【氮化镓】GaN HEMTs 在金星及恶劣环境下的应用

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文章是关于GaN增强模式晶体管(enhancement-mode p-GaN-gate AlGaN/GaN HEMTs)在金星探索和其它恶劣环境下的应用研究。文章由Qingyun Xie等人撰写,发表在《Applied Physics Letters》上,属于(Ultra)Wide-bandgap Semiconductors for Extreme Environment Electronics特刊。

标题与作者

  • 标题:Device and material investigations of GaN enhancement-mode transistors for Venus and harsh environments
  • 作者:Qingyun Xie, John Niroula, Nitul S. Rajput 等人
  • 发表时间:2024年4月22日
  • DOI:10.1063/5.0186976

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