【氮化镓】p-GaN HEMTs空穴陷阱低温冻结效应

这篇文章是关于低温条件下p-GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）栅极漏电的研究。文章通过电容深能级瞬态谱（C-DLTS）测试和理论模型分析，探讨了空穴陷阱对栅极漏电电流的影响。以下是对文章的总结：

摘要（Abstract）

文章摘要指出，在低温条件下，p-GaN HEMTs表现出一种冻结陷阱效应，导致空穴载流子被捕获在长寿命状态中，从而影响载流子传输。通过C-DLTS测试和基于理论模型的分析，发现在低温条件下，冻结的空穴陷阱会将栅极漏电机制从Poole-Frenkel（PF）发射转变为陷阱辅助隧穿（TAT）。理解空穴陷阱对栅极漏电的作用对于准确预测设备性能和为低温应用优化性能至关重要。

引言（Introduction）

引言部分讨论了GaN基HEMTs在低温条件下的应用潜力，包括其在低温功率电子学、超导、量子计算和航天器等领域的应用。文章强调了低温GaN功率HEMTs在提高功率转换效率、减少系统重量和尺寸方面的潜力。同时，指出了低温条件下对设备行为和可靠性的新挑战。

文献回顾（Lite