【氮化镓】GaN HEMTs结温和热阻测试方法

文章《Temperature rise detection in GaN high-electron-mobility transistors via gate-drain Schottky junction forward-conduction voltages》，由Xiujuan Huang, Chunsheng Guo, Qian Wen, Shiwei Feng, 和 Yamin Zhang撰写，发表在《Microelectronics Journal》，作者来自中国北京工业大学半导体器件可靠性物理研究所。

摘要

文章讨论了一种基于栅漏肖特基二极管正向电压降的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）结温和热阻的电测方法。在测量这个温度敏感参数时，源极被置于浮动状态，而漏极接地。研究表明，GaN HEMTs的热点位于靠近漏极的栅侧。使用栅漏肖特基二极管的正向电压降相对于使用栅源肖特基二极管的正向电压降能够得到更高和更一致的温度读数。这种方法可能为基于氮化镓的HEMTs的热管理和可靠性分析提供更准确的数据。实验结果显示，当样品在1分钟内展示3.44W的热功耗时，样品在栅漏侧的最大温度为44.8°C，而在栅源侧约为40.5°C。因此，所提出的方法具有实用性和指导性。

1. 引言

文章首先